会员中心 | 设为首页 | 添加收藏 |
![]() |
当前位置:首页 > 供应信息 > 产品对比 |
TDZT-04铁电性能综合测试系统:HTRS-1000高温半导体材料电阻率测试仪 |
更新时间:2025-08-22 13:43:25 |
![]() TDZT-04铁电性能综合测试系统浏览量:1831 型号: TDZT-04 品牌:精科智创 TDZT-04铁电性能综合测试系统 TDZT-04铁电性能综合测试系统 关键词:铁电材料参数测试仪,铁电子材料测试仪,铁电测试仪 一、产品介绍: TDZT-04型铁电性能综合测试系统是适用于铁电薄膜、铁电体材料(既可块体材料)的电性能测量,可测量铁电薄膜电滞回线,可精确地测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。 前言:铁电材料具有良好的铁电性、压电性、热释电性以及非线性光学等特性, 是当前国际高新技术材料中非常活跃的研究领域之一,其研究热点正向实用化发展。 背景:高性能的铁电材料是一类具有广泛应用前景的功能材料,从目前的研究现状来看,对于具有高性能的铁电材料的研究和开发应用仍然处于发展阶段.研究者们选用不同的铁电材料进行研究,并不断探索制备工艺,只是到目前为止对于铁电材料的一些性能的研究还没有达到令人满意的地步.比如,用于制备铁电复合材料的陶瓷粉体和聚合物的种类还很单一,对其复合界面的理论研究也刚刚开始,铁电记忆器件抗疲劳特性的研究还有待发展。 一、产品介绍: TDZT-04型是铁电材料参数测试仪适用于铁电薄膜、铁电体材料(既可块体材料)的电性能测量,可测量铁电薄膜电滞回线,可精确地测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。 主要技术指标: 1.输出信号电压::薄膜:0~±10V 陶瓷、材料:0~±2000V 2.输出信号频率:薄膜材料1-1000HZ,陶瓷:0-1Hz 3.电容范围:1000nf~ 100nf, 精度: ≤1%。 4.电流范围: 1nA~10A ,精度: ≤1%。 5、测试样品:0-20mm 5个 6、高压样品池:2个,一个封闭式:8CM*6CM 一个开放式:8CM*5CM 7、三维移动薄膜测试平台:直立式探针一套,角度式探针一套 8、电流:1-10倍放大,信号:1-20倍。.数据结口:USB或BNC接口。 9. 数据采集分析软件: 能画出铁电薄膜的电滞回线,定量得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流等参数;可以进行铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试,电阻测量,漏电流测量。 10.可以配合ZJ-3和ZJ-6型压电测试仪操作系统HTRS-1000高温半导体材料电阻率测试仪PRPM-1000热释电系数高温测试系统 GDPT-900A型变温压电d33测量系统JKZC-SRY10便携式手动热压机 大型商用辣椒酱炒锅 酱料炒锅 馅料炒锅包子机 |
![]() HTRS-1000高温半导体材料电阻率测试仪型号:HTRS-1000 品牌:精科智创 HTRS-1000高温半导体材料电阻率测试仪 HTRS-1000型高温半导体材料电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试,该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发,可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率,可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试,可以广泛用于半导体材料硅(si)、锗(ge),化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb),三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP,固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。 一、主要技术参数: 温度范围:RT-1000℃ 升温斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min) 控温精度:±0.5℃ 电阻测量范围:0.1mΩ~1MΩ 电阻率测量范围:100nΩ..cm~100KΩ .cm 测量环境:惰性气氛、还原气氛、真空气氛 测量方法:四线电阻法 测试通道:单通道 样品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm 电极材料:上电极半圆型铂金电极,下电极平板型铂金电极 绝缘材料:99氧化铝陶瓷 数据存储格式:TXT文本格式 数据传输:USB 符合标准:ASTM 供电:220V±10%,50Hz 工作温度:5℃ 至 + 40 ℃; 存储温度:–40 ℃ 至 +65 ℃ 工作湿度:+40 ℃ 时,相对湿度高达 95%(无冷凝) 设备尺寸:400x450x580mm 重量:38kg |
![]() |
推荐产品 | ![]() |
![]() |
|