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产品型号： | |
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| 产品价格： | 面议 | |
| 所 在 地： | 江苏 泰州市 | |
| 发布日期： | 2023-11-27 | |
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详细说明
ZEM-5热电性能分析系统
技术特点：
适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度
温度检测采用C型热电偶，最适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）
最大可测10MΩ高电阻材料
标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT ZEM-5HR ZEM-5LT ZEM-5TF
特 点 高温型 高电阻型
最大电阻：10MΩ 低中温型 薄膜型
可测在基板上形成的热电薄膜
温度范围 RT-1200℃ RT-800℃ -150℃-200℃ RT-500℃
样品尺寸 直径或正方形：2 to 4 mm2 ；
长度3 ～ 15mm 成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm
薄膜厚度：≥nm量级
薄膜样品与基板要求绝缘
控温精度 ±0.5K
测量精度 塞贝克系数：＜±７％； 电阻系数：＜±７％
测量原理 塞贝克系数：静态直流电； 电阻系数：四端法
测量范围 塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K； 电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
分辨率 塞贝克系数：10nV/K； 电阻系数：10nOhm
气 氛 减压Ｈｅ